Вот некоторые ответы Мультика.
monos писал(а):
Какой размах индукции Вы рекомендуете использовать в расчетах сил. транф., т.к. где-то писалось, что при таком снаббере трансформатор, размагничиваясь захватывает отрицательную область?
Трансформатор загоняется в отрицательную область тем больше, чем меньше Кзап. При Кзап > 0,45 с этим снаббером работать нельзя. Трансформатор переходит в положительную область. То есть, сам по себе этот факт не даёт форы на индукцию, если работать в полном диапазоне коэффициента заполнения.
Но, вообще говоря, выбор максимальной индукции зависит от потерь в магнитопроводе на рабочей частоте. Я использую магнитопроводы от EPCOS, и пользуюсь ихней программой. Задаю частоту, тип преобразователя, температуру перегрева провода и феррита - из собственных соображений, и после расчёта вижу, при какой индукции это всё должно происходить. Стараюсь выполнять рекомендации программы, насколько это получится. Пока проколов не было.
monos писал(а):
Если я правильно понял на схеме
http://b.foto.radikal.ru/0608/0c32cef7d4cb.gif
L5- тр. тока
L8- инд. расс., а L4- дроссель, описанный ниже, в том же посте, что и рисунок?
-Нет. Правильно только L4.
L5- индуктивность рассеивания.
L8- индуктивность намагничивания.
Модель трансформатора в любом учебнике представляется идеальным трансформатором (в схеме это L1/L2 с огромными индуктивностями, чтобы не портить картину), параллельно одной из обмоток включена индуктивность намагничивания со стороны этой обмотки (реального трансформатора - программа её считает по моим данным), а последовательно - индуктивность рассеивания, тоже со стороны этой обмотки (измеренная в реальном трансформаторе).
monos писал(а):
Поясните, если не затруднит, чем необходимо руководствоваться при подборе C1,C17 и L4, какую роль играют R6,C2, а так же какие параметры участвуют в выборе D3,D11,D9.
Для транзистора, чем больше C1,C17, тем лучше. Но тем больше гоняется реактивная энергия, и нагрев элементов, через которые она проходит. Оптимальным считаю выбор этих ёмкостей в пределах 0,15 - 0,22 нФ.
Лучшим критерием здесь являются результаты моделирования и интуиция разработчика.
А объективным критерием может служить максимальный КПД схемы. Максимум КПД приходится на 0,15 нФ.
От величины L4 зависит время перезарядки снабберных конденсаторов: чем она меньше, тем быстрее конденсаторы готовы к новому циклу переключения, а ток в импульсе, естесственно, больше.
Делать это время меньше, чем время нарастания тока в трансформаторе при включении, определяемое индуктивностью его рассеивания, бессмысленно. А если сделать их равными, то при любой длительности импульса переключение будет практически мягким. Может быть, это можно считать объективным критерием, но я всё- таки оглядывался бы на ток в импульсе перезаряда конденсаторов, и если он великоват, лучше увеличил бы индуктивность.
D3,D11,D9 должны выдерживать импульсный ток, который проходит через них в моменты выключения транзисторов (желательно определить в результате моделирования), напряжение питания, и быть чем быстрее, тем лучше для них и для транзисторов.
Ссылку не нашел L4 Ш7х7 14 витков 8хПЭЛ 0,27 или 6х0,33 зазор 2мм. это я
списал гдето с форума и C1,C17 -15n.