Цитата(Гость_tigroff_* @ 6.10.2008, 15:00)

Так все-таки, как делать?...
Взять и посчитать...
Например хотим 120А при Iвых=120А, Uмин.сети=187В, Ктр=3, ключ IRG4PC50W, F=50кГц.
Минимальное напряжение на вторичке - U2мин=SQR(2)*Uмин.сети/Kтр = 1,41*187/3 =87,89В.
Напряжение на дуге - Uд=20+0,04*Iвых = 24,8В.
Коэффициент заполнения - Кзап=Uд/U2мин = 0,28.
Таким образом, при выбранном минимальном напряжении сети, необходим Кзап всего 28%.
Реально же, с учетом КПД, динамики дуги, пульсаций на электролитах..., эта цифра будет несколько выше - около 30-33%.
Теперь ток ключей - Ic=Iвых/Ктр = 120/3 = 40А.
Смотрим шиит на IRG4PC50W, параметр Vce рис.2,
Статические потери - Рст=Кзап*Ic*Vce=0,3*40*2,2=26,4
Чтобы снизить динамические потери применим RCD снаббер (С=2n2, R=50).
Посчитать это дело достаточно трудно, потому я пользуюсь SwCADIII, тож своего рода калькулятор...
С таким снаббером потери переключения Pкл=~36Вт. т.е. динамические потери составили около 10вт.
Теперь, температура кристалла - Tкр=36*0,88+75=106,68гр. - ключ живет (Ткр.мах=150гр.).
Вот сейчас можно посчитать что будет с ключом при снижении питающего напряжения.
Скажем, напряжение стало таким, что Кзап стал 47%.
Динамические потери не изменятся, а статические - Рст=0,47*40*2,2=41,36Вт.
И температура кристалла - Tкр=51,36*0,88+75=120гр. - ключ опять живет.
Ну вот, вроде так, после предварительного расчета есть на что опереться и уточнять уже в железе, удачи…