Делаем резонансный сварочный инвертор Vadne1'я. Часть 3-я. Опции

[proba]

А можно расписать словами почему в данном случае это происходит? А то у меня что-то не получается проанализировать грамотно.

У IRF840 сопротивление открытого канала более 0.85 ОМ. При токе 10А. падение напряжения на открытом полевике будет 8,5в. прибавте к этому падение напряжения на бустрепным диоде 0,6в..Итого 9,1в.Теперь от 15в.отнимем 9,1в в остатке 5,9в это и будет напряжение питания верхнего драйвера ,плюс потери в самом драйвере итого в сухом остатке мы видим то что мы видим.

Сообщение отредактировал proba - 30.12.2009, 19:43

[Leon_new]

итого в сухом остатке мы видим то что мы видим.
[/quote]
Спасибо за разъяснения. Начинаю немного понимать как это все работает.

[qaki]

итого в сухом остатке мы видим то что мы видим.

Коллега, Вы слишком категоричны в своих суждениях. Позволю себе
привести в моем переводе отрывок из datasheet:
"Описание
IR2110/IR2113 -драйверы высоковольтных высокоскоростных мощных
MOSFET и IGBT с независимыми верхним и нижним выходами,
связанными с соответствующими выходными каналами. Патентованые
решения высоковольтных интегральных схем (HVIC) и устойчивость
к защелкиванию технологий CMOS позволили реализовать монолитную
конструкцию. Логические входы совместимы со стандартами CMOS
или LSTTL вплоть до логики 3.3V. Выходы драйверов являются
каскадом буфера высокого импульсного тока, разработанным для
минимальной драйверной перекрестной проводимости. Задержки
распространения выравнены для упрощения использования в
высокочастотных приложениях. Плавающий канал может быть
использован для управления верхними мощными N-канальными MOSFET
или IGBT вплоть до 500 или 600 вольт."
То обстоятельство, что девайс, разработанный серьезной фирмой и
выпускаемый миллионными тиражами, находит массовое применение
заставляет быть более осторожным в суждениях. К тому же Вы не
обратили внимания на то, что в Вашем примере верхний MOSFET даже
при наличии потерь находится в насыщенном состоянии.

Сообщение отредактировал qaki - 30.12.2009, 23:33

[ZPS]

Коллега, Вы слишком категоричны в своих суждениях. Позволю себе
привести в моем переводе отрывок из datasheet:
"Описание
IR2110/IR2113 -драйверы высоковольтных высокоскоростных мощных
MOSFET и IGBT с независимыми верхним и нижним выходами,
связанными с соответствующими выходными каналами. Патентованые
решения высоковольтных интегральных схем (HVIC) и устойчивость
к защелкиванию технологий CMOS позволили реализовать монолитную
конструкцию. Логические входы совместимы со стандартами CMOS
или LSTTL вплоть до логики 3.3V. Выходы драйверов являются
каскадом буфера высокого импульсного тока, разработанным для
минимальной драйверной перекрестной проводимости. Задержки
распространения выравнены для упрощения использования в
высокочастотных приложениях. Плавающий канал может быть
использован для управления верхними мощными N-канальными MOSFET
или IGBT вплоть до 500 или 600 вольт."
То обстоятельство, что девайс, разработанный серьезной фирмой и
выпускаемый миллионными тиражами, находит массовое применение
заставляет быть более осторожным в суждениях. К тому же Вы не
обратили внимания на то, что в Вашем примере верхний MOSFET даже
при наличии потерь находится в насыщенном состоянии.

Все нормально, пускай ХУДОжники - теоретики (ГУРАТОР ЭТО НЕ ПРО ВАС) забавляются. После НГ сфотаю и выложу сигналы затворов верхних ключей на разных режимах с бустрепным питанием. ТОКО ЧУР БЕЗ ОБИД, так резко написал по той простой причине, что народ пугать нужно только тогда, когда теория сходится с практикой.

[dimon239]

Извините, уважаемый, а транзисторчики, что в Вашем сверкальнике исплользуются, откудова родом будут? Вотименна, а ведь Вы не считаете позорным их использовать. Поэтому давайте прекращать с политинформацией, усё же НГ вскорости. Поэтому присоединяюсь к пожеланиям одного философа:
"Я вам всем желаю здоровья как у мирного неба, телесной крепости как у совейского сварочного транса, благополучия во всем. И радавацца, радавацца больше, даже ежели всё *уёво. Пусть неприятности сами о себе позаботятся, а мы давайте заморачиваться чем-нить приятным и полезным.
С наступающим НГ и пусть будет с вами сила и управа."

Я уже горжусь, что ставлю китайкие детали, в моём сварочнике из отечественного только медь и К78-2, тут не о гордости или позоре шла речь, а о том, что если бесконечно долго думать и ничего при этом не воплощать в железе, то можно отстать навсегда. Ну и хватит об этом.


Я Вас и всех форумчан поздравляю с наступающим Новым годом, желаю здоровья, богатства и успеха!

[Steppe]

Всех с Новым Годом!
В уходящем году я все таки успел сделать, настроить и даже испытать руками профессионалов на газоперерабатывающем заводе сварочник по схеме г. Негуляева. Бесценный опыт форумчан очень мне пригодился.

Сообщение отредактировал Steppe - 31.12.2009, 11:21

[qaki]

С Новым годом всех резонансных и нерезонансных самопальщиков!
Мягкой Вам дуги и поменьше БАХов.

[proba]

Коллега, Вы слишком категоричны в своих суждениях.

Категоричен не я, это SWCAD. В своем посте я написал что эти проблемы возникают лиш при применении полевиков (добавлю :при эксплуатации в предельном режиме--перегрузка по току)При установке IGBT эфект сохраняется ,но не в таких масштабах так-как напряжение насыщения у таких транзисторов не превышает 2,5в. Кроме того во многих драйверах с бустрепным питанием встроен запрет работы МС при снижении напряжения питания верхнего или нижнего драйвера ниже 8в. (Во многих но не во всех) Ещё от этого эфекта можно уйти изменив схему питания драйвера.

ZPS писал
К тому же Вы не
обратили внимания на то, что в Вашем примере верхний MOSFET даже
при наличии потерь находится в насыщенном состоянии.


Это не так вот картинка в поттверждение Красный луч потери в верхнем ключе синий луч потери внижнем ключе.

Сообщение отредактировал proba - 31.12.2009, 9:07

Эскизы прикрепленных изображений

 

[ZPS]

ZPS писал
К тому же Вы не
обратили внимания на то, что в Вашем примере верхний MOSFET даже
при наличии потерь находится в насыщенном состоянии.


Это не так вот картинка в поттверждение Красный луч потери в верхнем ключе синий луч потери внижнем ключе.

ZPS такого не писал. Я только озвучил что аппараты с применением IR2110 на бустрепном питании живут и здравствуют на различных просадках сети и различных режимах. А просьба была поменьше пугать народ необоснованными доводами. Но это все ерунда по сравнению с грядущим праздником.


БРАТВА ПОЗДРАВЛЯЮ ВСЕХ ВАС, А ТАКЖЕ МИЛЫХ ДАМ С НОВЫМ ГОДОМ!!!


После праздников отойдем и завалим всех новыми идеями и рабочими конструктивами.

[qaki]

Категоричен не я, это SWCAD.
Это не так вот картинка в поттверждение Красный луч потери в верхнем ключе синий луч потери внижнем ключе.

А полученные цифири сомнения не вызывают? Может быть это ошибка
пользователя? В разумной схемотехнике ток в цепи определяет
сопротивление нагрузки, а не сопротивление ключа. Есть все основания
надеяться, что в Вашей модельке токи верхнего и нижнего ключей
одинаковы, сопротивление открытого канала равно 0,85 Ом. И
коммутационные д.б. равны. Нет ли ошибки в подключении пробника?

[proba]

А полученные цифири сомнения не вызывают? Может быть это ошибка
пользователя? В разумной схемотехнике ток в цепи определяет
сопротивление нагрузки, а не сопротивление ключа. Есть все основания
надеяться, что в Вашей модельке токи верхнего и нижнего ключей
одинаковы, сопротивление открытого канала равно 0,85 Ом. И
коммутационные д.б. равны. Нет ли ошибки в подключении пробника?

...на картинке речь идёт о потерях,то есть о рассеиваемой мощности на ключах а не о токах ключей. 0,85ом это если напряжение затвор исток 15в.,а если там всего 5в.то сопротивление не нормируется может быть и 2 ОМ и более.естественно и рассеиваемая мощьность подскочит. Возьмите ДАТАШИТ на IRF840 и посмотрите выходные характеристики транзистора.

[qaki]

Возьмите ДАТАШИТ на IRF840 и посмотрите выходные характеристики транзистора.

Ну и что? Взял... Видим ток коллектора 4 А, перегиб с выходом в режим
генератора тока при 5 В. Мощность, рассеиваемая на ключе 20 Вт. Разумный
разработчик поставит в такой ситуации в нагрузку раз в 20 больше, чем
сопротивление открытого ключа и будет радоваться высокому КПД. Схемудай
будет чесать репу и изумляться чавой-то ейный инвертер не отдает мощи, а
ключи БАХают.

Эскизы прикрепленных изображений

 

[proba]

Ну и что? Взял... Видим ток коллектора 4 А, перегиб с выходом в режим
генератора тока при 5 В. Мощность, рассеиваемая на ключе 20 Вт. Разумный
разработчик поставит в такой ситуации в нагрузку раз в 20 больше, чем
сопротивление открытого ключа и будет радоваться высокому КПД. Схемудай
будет чесать репу и изумляться чавой-то ейный инвертер не отдает мощи, а
ключи БАХают.

http://flyfolder.ru/15741163
исходя из ваших рассуждений сопротивление канала ключа будет 5в./4а.=1,25ом вместо 0,85ом .А теперь пропустим через ключ ток нагрузки 10А.Получим потери на ключе 125ВАТ. и падение напряжения на ключе 12,5В.
Вобщем дискусия беспочвенная .Несомненно что для управления полевиками а так-же IGBT размах сигнала на затворе должен быть не ниже 8В. и не выше18в. Но лучше ближе к 18в. так как сопротивление канала ключа в этой точке ниже.Ну а сомневающиеся могут сами погонять модельку.

Сообщение отредактировал proba - 31.12.2009, 19:30

[qaki]

http://flyfolder.ru/15741163

Извините, мы говорим на разных языках. LTSpice не использую. В основном
Микрокап, реже ORCad.

[Пук]

http://flyfolder.ru/15741163
исходя из ваших рассуждений сопротивление канала ключа будет 5в./4а.=1,25ом вместо 0,85ом .А теперь пропустим через ключ ток нагрузки 10А.Получим потери на ключе 125ВАТ.

А зачем через такой транзюк пропускать 10А? Можно с такимже успехом, поставить баян 315Г и радоваться жизни. Линейка полевиков насчитывает 10000 штук, они все есть в продаже. Чего вы прикопались к 840? Некуж-то уже начали провожать Старый год?
С Наступающим всех!!!!!!!!

[proba]

А зачем через такой транзюк пропускать 10А? Можно с такимже успехом, поставить баян 315Г и радоваться жизни. Линейка полевиков насчитывает 10000 штук, они все есть в продаже. Чего вы прикопались к 840? Некуж-то уже начали провожать Старый год?
С Наступающим всех!!!!!!!!

А кто вам мешает поставить в модель другой тип полевика, или собрать модель в другой программе ( Микрокап, ORCad.) и проверить эффект в ней. А он будет и в них ,в большей или в меньшей степени все зависит от сопротивления канала в открытом состоянии и величины тока текущего через ключ. ("Эффект" -- имею в виду снижение напряжения питания верхнего ключа) Просто обращать внимание на это нужно лиш когда питание на верхнем драйвере снижается ниже 8V.

[gyrator]

Сообщение отредактировал gyrator - 31.12.2009, 19:07

[Dedan]

Ну ребята шуткуют!!
Раз не лень модельки гонять не глянете в симуле?
Схему рисовать уже не смогу 1 час до НГ. Объясню на пальцах.
Мост. Два ШИМ с общей синхронизацией и частотой. Один шимит силу, второй полевиками детектирует выход. Как Вы понимаете, ШИМы могут управляться независимо. Какие грабли могут вылезти? По логике, если выход переключать помягче, будет полегче силовым IGBT.
С НГ!! УРА!!


Сообщение отредактировал Dedan - 1.1.2010, 21:16

[Кирпич]

Добрый день уважаемые форумчане.
Поздравляю ВСЕХ с Новым 2010 годом, желаю удачи в радиогубительстве, в личной жизни, а также в культурном развитии (слушать Баха только в концертном зале а не на стенде в момент настройки ).
С ГОДОМ ТИГРА ВАС.

[Ovechkin1973]

Господа "поджигатели" с наступившим Вас НГ. Надеюсь в праздники не было хлопков "убитых" транзюков и диодов...только хлопки пробок от шампанского и скрип пробок от вина.. Знаний в мозг побольше, таким как я....чтоб меньше обогащали магазины электронных компонентов.
Ну и опять скромно повторю свой вопрос - как сделать одну управу на два силовых блока со сдвигом управляющих сигналов на один блок на 1/4 сигнала по сравнению с другим? Или это утопия?