Делаем резонансный сварочный инвертор Vadne1'я. Часть 3-я.

Идеально!

dimon239 СПАСИБО

подскажите пожалуста что это и счем его едят 'G80N60UFD' немогу ни как даташит найти.

Нету у него даташита. Это 100% перетертые отходы производства, не
прошедшие выходного контроля. Лепят с разными логотипами где-то в
поднебесной. Мне попадались как IR, кому-то Infineon, бывают FairChild
и другие фирмы. Некоторые экземпляры работают, но не долго.

так он с диодом или без и куда можно притулить.

Только что авторитетный и знающий человек ответил: "Нету у него даташита. Это 100% перетертые отходы производства."

- Выкинуть (подарить кому-нибудь). Или поставить в то устрЁйство, которое хочешь подорвать.
SGH80N60UFD вообще-то (по тому даташиту, что по ссылке тремя постами ранее) - с диодом.
Вот файл.

Сообщение отредактировал Minus - 18.1.2011, 23:42

спасибо за инфу будем взрывать

Может у тебя это.

Вопрос: Как посчитать количество витков первички в транце резонансника, для работы его без насыщения на ХХ. Интересует зависимость от сечения центрального керна.

для одного комплекта Е65 18 витков первички не заведет сердечник в насыщение даже при повышенном сетевом напряжении(из опыта)при данных витках проблем как с ключами так и EBUками не было даже при КЗ выходных кабелей 3-4 метра и при отсутствии вых дросселя.Напрямую выходы не рисковал замыкать.Это все касаемо жесткого моста.и при условии что монтаж и дрова выполнены правильно и защиты работают корректно

Сообщение отредактировал Jorg63 - 19.1.2011, 18:44

Количество витков при одинаковой замагниченности сердечника обратно
пропорционально площади сечения центрального керна. Можно обойтись
и без расчета с помощью пробной обмотки. 100% отсутствия насыщения и
нагрева сердечника достигается при индуктивности первички не менее
3,5-4 мГн.

Индуктивность мерить нечем . Я в свете какой проблемы это спрашиваю - какое минимальное(для работы на просаженой сети) количество витков схавает один Е70, без существенного нагрева на ХХ?

И еще вопрос, кто нибудь пробовал ставить 3мм оксид алюминия на транзисторы? И что из этого вышло?

Сообщение отредактировал Skif - 19.1.2011, 20:16

Помоему Геннадий ставил когдато, как будто всё было в норме, подорбнее - надо у него спросить.

Спаяй вот такую живопырку и меряй резонансным методом. Точность
5-10%, зависит от точности эталонного кондера и точности измерения
частоты. Транзисторы любые ВЧ. Для удобства расчета используй
программку Coil из прилагаемого "жентельменского набора". Контур
резонирует на частоте параллельного резонанса. Частоту можно
определить через период колебаний с помощью осциллографа.

1)всегда ставлю хорошо проверенную временем слюду под ключи,никогда не подводила
2)насколько я знаю в насыщение быстрее загонишь сердечник при повышенном напряжении сети.и нагрев на ХХ как раз больше проявляется при повыш сетевом напряжении. Кстати в полумостах,так как напряжение на транзисторах половина питания проблема как таковая насыщения не стоит,во всяком случае инфы такой не встречал.Что не так-поправьте

Сообщение отредактировал Jorg63 - 19.1.2011, 21:50

Спасибо, хорошая программа. Удобная в работе и инсталляции не требует.

У меня стоят 3 мм прокладки оксалюминя под 50в60рд1 вродь все нормально мерял разницу(радиатор-корпус IGBT) температуры инфрокрасным термометром не более 10С. Правда апарат прошел только предварительные испытания. покаместь уперся в сильный нагрев дроселя (сердечник) Ш20х28.юзаный. неизвесного качества и происхождения! Завтра поеду на кардачи покупать нормальный Е65.Вот такая AOS 218/247

Сообщение отредактировал vashkit27 - 19.1.2011, 22:57

Skif
Привет, когдато была такаяже проблемка,на форуме подмогли, глянь может поможет

Сложил обе части картинки. Так ведь удобнее?

Вот вам и мина замедленного действия при хорошем токе транзистор не будет успевать отдавать тепло через этот ваш оксид алюминия и спечется насмерть но если вы считаете за хороший показатель разницу в 10 градусов между транзистором и радиатором то глубоко ошибаетесь. Если и изолировать то в идеале оксид бериллия или на крайняк слюда. Поверьте мне уж я поэкспериментировал с этим делом достаточно.


Сейчас ставлю на транзисторы прокладки из оксида бериллия разница температур меньше градуса а диоды два UFB200FA40 изолированных от корпуса и никаких проблем.

Кстати у UFB200FA40 ток 230ампер при температуре 90 градусов и электровоз писал что там стоят кристаллы 150EBU04 так что фиг их чем перегрузишь однофазной сетью а монтировать их одно удовольствие я лично с 150EBU04 связываться больше никогда не буду.