Да, это то что написано на морде, кстати все правда, просто нужно правильно понимать 250А мах. ток в режиме форсирования и диоды на 250А в сумме, но в таблице написано 180А 60%, 135А 100%. Все логично. Обмотки все-же потолще вроде перв 2,5 вторичка 3,5. Кстати инвертор вроде немецкой разработки MATRIX, но в линейке MATRIX его нет а выглядит как китай, но какие-то нотки от немцев есть, одноплатный. Второй этажерка надпись "США" вот тут все похуже параметры на морде завышены относительно реальной комплектации написано 200А реально 120А по диодам, но схема более навороченная все опции есть но некоторые детали не запаяны. Вот его я и переделывать собрался под микроконтроллер там есть датчик тока и напряжения по выходу.

Урааааааа! Я разобрался в технологии жизненного цикла товаров "длительного пользования".... и, получил нужный эффект!!!! А вернее еще раз убедился, что так было, есть и будет есть...

Смотрел, смотрел на ваш трансформатор. Один виток вторички прикольно, очень лаконично, но есть чувство незавершённости... Короче, руки чесались хотя-бы дорисовать. Довести до логической завершённости или до абсурда, если хотите. Художник я хреноватый....
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Не очень внятно, но идея такая: вторичный виток - просто скоба из листовой меди, диоды сразу к ней и паяются. По скину должно быть нормально, плюс места в окне больше остаётся.

Неплохо, я тоже так делал, лет 15 назад. Только частота у меня была 3,5 мГц. Ведь оттуда идея!!!

Однако, характер перемагничивания сердечника на скин не влияет. На скин влияет скорость и частота изменения тока в проводнике. У двухтакта, по сравнению с однотактом, удвоенная частота изменения тока, т.о. сильнее будет выражен скин. В то же время у однотакта удвоенная амплитуда пульсаций тока. Поэтому, при всех равных условиях, однозначно сказать, что потери от скина в однотакте меньше сложно...

Особенно нравиться окончание статьи " В последующих статьях мы затронем некоторые из этих тем." и конечно-же продолжения не будет, так как автор уже иссяк, о чем и расписался во первых словах. (запричитал ой как все сложно, ой как неоднозначно, как будто 3D моделирование вчера запретили)

Эффект близости тут ни при чем. Он может быть при постоянном токе... Вот тут Нажмите для просмотра прикрепленного файла описан метод определения скин слоя.

Спасибо, это уже намного лучше. А то, прочитав предыдущую статью, я подумал, что лентой мотать пустая трата меди

Сравнение по временам выключения двух популярных транзисторов, подходящих для работы в мостах от трехфазной сети. Снимал параметры при питании полумоста от 220V с выпрямителем удвоителем. Номинал демпферного конденсатора варьировался в широких, но, пмсм, разумных пределах
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Вот прекрасно виден шлейф от хвоста при разном токе рассасывания.

FGH40T100SMD, IRG4PF50WD Последний явно приличнее себя ведет. Интересно место производства кристаллов транзисторов. Те fairchil-ды что мне прислали перемаркированными из китая имеют какой-то грязный кристалл с громадной утечкой затвора я даже заподозрил что это карбидкремниевые мосфеты (вскрыл и, кристалл вдвое толще чем IGBT которые погорели). Спасибо за материал для размышления, если есть еще с удовольствием ознакомлюсь. Вы вскрывали транзисторы? Просто интересно по толщине кристалла и материалу, я уже не говорю о площади вроде этот этап постепенно уходит в прошлое (явно непригодные). Наступает новый этап подделок более качественных, которые даже пригодны для применения по назначению, например, у меня подделки работают и не сгорают.

Для наглядности там включено мат умножение (фиолетовый цвет, на одной осц. математику забыл включить), - чтобы навскидку можно было величину и характер потерь оценить. По динамическим потерям разница невелика, но мне кажется, что у свеженького получше слегка, однако если по совокупности оценивать – статические+динамические, более свежие(FGH40T100SMD) заметно выигрывают у народных полтинников. Но революционного скачка пока не видится. Современные скоростные 600-вольтовые куда гораздее по потерям. Ниже на картинке GW60V60DF. Сд= 18nF. Но ток коллектора пониже, 20A на момент выключения. Хвостовых потерь практически нет. Этот фрукт сэмпловый – 100% не подделка. За предыдущих два не ручаюсь, брались в Чипе-Дипе за 300 руб, цена настораживает. Тем более, что с Чипойдрипой у меня были неприятные прецеденты по поводу подделок.
Все эти осциллограммы я снимаю в автогенераторе с коммутирующим трансформатором, в управлении затворами – вообще ни одного транзистора. Возможно, при более навороченном управлении динамика будет немного лучше, но я в этом сильно сомневаюсь.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

GW60V60DF я на него тоже обратил внимание по данным даташита. Скоро начнут, наверное, дешеветь мосфеты на новых материалах (CoolSiC MOSFET) и чего там еще забыл?

P.S. У меня стойкое впечатление от присланных китайцами перемаркеров, что это не IGBT а CoolSiC MOSFET, сужу по толщине кристалла и тому (толще вдвое, чем IGBT, я читал что у IGBT кристалл тоньше мосфета вдвое, что и увидел расколов транзистор), что карбида кремния грязного в китае валом из него делают светодиоды.

Как раз так и выходит, карбид грязный и мосфеты CoolSiC MOSFET с очень высокой утечкой затвора, но в целом работают лучше IGBT.

Видимо у китайцев проблемы с нарушением патентов, вот и шлют перемаркер, но это даже круто... для часного потребителя.

Мосфет никак нельзя с жибитом попутать. В открытом IGBT обязательно должен прямой pn переход звониться. Нет перехода – нет жибита. Достаточно тестера на прозвонку диодов и кроны в затвор.

Ей богу - детский сад какой-то. Во что скатилась тема... В волшебные несгораемые транзисторы. Это в одном из тех аппаратов, про которые писали? Один с номером модели 250, а второй с надписью США? Может просто и один и второй аппарат не знают, что такое 200 ампер? Кулмос, карбидники..., ага. А как Вы ими управляете? Ничего не меняли, аль драйвер совсем другой?

По теме. Предлагаю еще раз такую схему двухтактника. Управляемый выпрямитель удвоитель на семисторах питает полумост на "несгораемых CoolSiC MOSFET", в звене постоянного тока 520 В и повышенный КПД потому как оптимальное напряжение, а управляемый выпрямитель удвоитель обгоняет по КПД просто мост диодный. Итого: не надо диодный мост и реле.... итого те-же 4 корпуса ТО3. Конденсаторы поставить на 300 В последовательно и еще пленку 4.7х4, за цену выпрямителя на всякий случай и среднюю точку контролировать проциком.

Моделька Нажмите для просмотра прикрепленного файла Мисрокап 9 правда там нет управы и триаков, но смысл в том, что данные тр-ра взяты с реального немецкого моста на 250А.

Не, ну раз бывают, тогда да. Я просто по серости своей чего-то думал, что они всегда отличались по напряжению управляющего двух-полярного импульса. А для новинок надо +20 и -10 вольт.
Про процессор вообще не к чему было...
Дело не моё, но Вы сосредоточтесь на чём-нибудь одном, а то прыгаете от одного к другому.
Флуд (меня ещё не отпустило, после Ваших постов): транзисторы на отбракованном карбиде-кремния для светодиодов, с Китая

Для новинок IMW120R045M1 нужно 0-15В как для IGBT (порог открытия +4В!!!! смотреть в даташит пункт Gate-source threshold voltage). А транзисторы с Гонконга, причем конструкция корпуса более совершенная чем у фирменных, больше просечек на подложке и, как следствие, лучше адгезия пластика. И покрытие лучше фирмовых. Так что наводит на мысли, особенно если учесть, что это все-таки Гонконг (испытательный полигон многих именитых производителей). Кстати, не один я в отзывах написали, что транзисторы лучше фирменных!!!

Инфинеоновские не рассматривал, даже интересно стало.
Ну а по поводу перемаркер лучше оригинала - это загон, так как что там "внутри" - никто не знает, и при каких условиях эксплуатации восторженные отзывы - тоже неизвестно.

Я знаю что внутри, один расколол. Щас фотку пришлю.

Слева оригинал FGH40N60SFD справа перемаркер с той-же маркировкой. Емкость затвора 2700 пФ у пермаркера.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла На фото видно, что адгезия пластика у перемаркера лучше чем у оригинала!!! Даже вывод центральный шире.... А Gate-source threshold voltage вроде я намерял в р-не 3.6 В как у Инфинеон!!!! Особое внимание надо обратить на толщину кристалла у перемаркера вдвое толще, везде в литературе по полупроводникам сказано что у IGBT кристалл вдвое тоньше MOSFET!!! Даже кристаллы у премаркера стоят ровнее.... Браво Тайваньцам

Так адгезия ни как не поможет, если крышу снесёт - не удержит . В инете часто встречается, что оригинальные Fairchild ещё надо поискать.
Да, в даташите на IMW120R045M1 - есть отсыл на апликацион ноте, где расписано про отрицательное напряжение на затворе. Так что я остался при своём мнении - с минусом на затворе надёжней.

Ну не знаю, там даже в даташите двойственная позиция и вашим и нашим Вас Gate-source threshold voltage +4В не убеждает? тогда почитайте это насколько он гибкий!!! в управлении https://www.compel.ru/lib/ne/2017/5/4-cools...-oblasti-mosfet

После обсуждения я еще больше уверен что премаркер это CoolSiC MOSFET. Даже общее качество изготовления по фото видно выше!! Припоя оптимально положено под кристалл и ровнее все и просечка на подложке круче и выводы шире и покрытие выводов более качественное... А то что он заряд затвора нихрена не держит так для карбида так и должно быть!

Ссылку, где брали?

Там расписано на каких частотах и при каких отпирающих напряжениях, какое допускается запирающее напряжение ниже 0. А в заключении там написано:

Короче пока я голову ломал китайцы раскололись это "Индукционная индукционная плита IGBT трубки FGA30N120ANTD FGA30N120 используется для"

Ну вот и карбидники испарились, чудо растворилось, да его и не могло быть.

Все промерял переход это IGBT просто не надо было слушать отзывы некоторых. В любом случае, даже на FGA30N120ANTD, а они свежие, можно сделать мост с управляемым удвоителем выпрямителем на триаках. Ладно все заканчиваю флуд виноват.

У меня нет амперметра, но судя по тому что тройкой сварка режет железяку толщиной 8мм. там 180 минимум а то и больше по крайней мере на ней написано 200А. Только что протестировал для уверенности поскольку все под рукой.

P.S. Все равно не срастается FGA30N120ANTD по даташиту 5140 пФ, а у этих 2700 пФ. Более чем похожи на SGH80N60UFD.

Так ведь по фото всё видно, и мерять не надо. Доп. кристаллы – это диоды. IGBT без встроенных диодов бывают, а вот мосфетов с дополнительными навесными диодами – никогда.
Мне кажется, не имеет смысла гадать, шо там свободные китайские художники Вам подсунули.
Вряд ли там что-то класса 1200V, но это и хорошо, если так. У высоковольтных IGBT потери выключения намного выше, оно надо при Вашем напряжении питания? При желании можете по классу напряжения посмотреть. У шестьсотвольтовых блокирующее напряжение обычно в пределах 660-700V, запросто определяется мегаомметром и вольтметром. Только не забудьте затвор с эмиттером закоротить при испытаниях.

Спасибо за ответ. Я поленился купить "Крону" или собрать тестовую схему сначала. Промерял затвор тестером на емкость, затем Z-metr программой, в последнем случае даже тангенс угла диэлектрических потерь показывает получилось 2950 пФ, 34 Ом, 1,2 E-2 tg. А кроной 9В открыл затвор получил на переходе тестером на прозвонке 420 мВ в прямом и 470 мВ диод. Похоже что кристалл SGH80N60UFD ближе всего по емкости и смыслу. В общем неплохо, причем в партию из 20 шт. положили 4 шт. с емкостью 1500 пФ наверное эти на 1200 В, если я правильно понял, китайцы выслали комплект 16 в силу и 4 в блок питания, заботливые, и качество хорошее.

Теперь хочу прикупить семисторов для управляемого удвоителя выпрямителя и электролитов на 300В. Чтобы в звене постоянного тока иметь 520В в схеме полумост на этих самых SGH80N60UFD. Тогда двухтакт получится совсем оптимальным, по той модельке которую выше приводил с данными тр-ра реального немецкого полного моста на кольце 55мм диа. 20мм высотой: первичка 18 витков 2,5 мм диа. медь 14 мГн, вторичка 4 витка 700 мкГн 3,5 мм. диа. медь. Повторю модельку. Напряжение на тр-ре одинаковое получается для моста на 260В под нагрузкой и полумоста на 520В в звене постоянного тока (смысл выпрямителя удвоителя в том, что 600В транзисторы недоиспользованы по напряжению в классическом полном мосте, а с управляемым удвоителем выпрямителем на 40А симисторах все получается оптимально в звене постоянного тока будет дополнительно стабилизация напряжения на уровне 520В и, не нужно ставить мост выпрямителя и реле зарядки электролитов). Там в модельке частота 20 кГц надо исправить на 33 кГц как в реально существующем инверторе.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
А вот схема годная для анализа
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Комментарий к схеме: в схеме добавлено описание назначения цепей обратной связи.
Непонятно, как вообще может работать U1cA (TL084) в цепи ОС которой стоит стабилитрон 12 В, и нет связи по постоянному току ????? Нужно шунтировать ОС в U1cA резистором 100 кОм!!!!! Пока анализируем аналоговую управу затем будет цифровая.

ОУ там работает просто, как пороговый пороговый элемент.

Но такая работа совершенно бессмысленна. Стабилитрон понятно ограничивает диапазон. И на практике, при добавлении связи по постоянному току начинают правильно работать ОС по току и напряжению. U2D имеет смысл быть пороговым элементом, там при снижении напряжения на клеммах до 8 В и ниже принимается решение что электрод залип.

Там видимо необходимо при напряжении ниже порогового усиливать только переменную составляющую от токового датчика. Для этого в ОС, параллельно стабилитрону, включена RC цепочка.

Дальше там присутствует интегратор, потом повторитель на ОУ с единичным усилением и потом еще один интегратор. И этот сигнал уже заводится на усилитель ошибки контроллера.

У меня более радикальное мнение сложилось, что это из-за "конфликта интересов". По крайней мере после установки резистора параллельно стабилитрону характер работы сварки резко изменился в лучшую сторону, после того как сварка просто перестала варить а стала только резать. Складывается впечатление, что схема работала некоторое время только на паразитном свойстве стабилитрона. Короче в схему заложена скорая поломка


Эти интеграторы нужны ПМСМ чтобы частоты импульсной характеристики ОС не впали в резонанс с частотой ШИМ и не вызвали динамический перекос. На практике, схема в конце концов залипла на максимальном токе и перестала откликаться на регулятор тока.

ПМСМ опять же, нелинейный процесс в дуге плюс импульсная характеристика ОС могут впасть в резонанс с частотой ШИМ и, вызвать динамический перекос (как следствие одностороннее подмагничивание тр-ра), для избежания этого ОС притормаживают несколькими ФНЧ.

Там просто сглаживается сигнал, для усреднения.

Это я ее чистил и подписывал. Просто подходит к моему инвертору, спасибо за оригинальное название. На разъеме P2 как Вы думаете зачем задуманы 4 и 5 контакты и соотв. диоды NC ???

Кривизну чего? Чет мне разгадывать лень.... Ну Вы даете, это надо же такое придумать!!! Вроде идея понятна

Кривизну магнитного усилителя. Думаю, что на относительно большом отрезке времени индукция СТ всё равно сползёт в сторону кривизны. Вопрос только, сползет на определенную величину или будет сползать до насыщения.

Кинь те в меня идеей конструкции ТГР при условии что ШИМ сигнал промодулирован частотой 60 мГц. То-есть схема такая ШИМ-> модулированный 60 мГц ШИМ-> ТГР -> демодуляция (выпрямитель)-> ШИМ. Спросите зачем, процик TMS32 умеет модулировать ШИМ частотой ядра процессора. Я озадачился из чего можно сделать ТГР на 60-100 мГц ???

Технология применения совсем миниатюрных трансформаторов с подобным принципом работы используется в некоторых драйверах вместо оптики, например Si826x. Реализовать это лучше на коленке, думаю, не получится и смысла не вижу. Ставите готовые драйвера и всё. Они будут намного шустрее обычной оптики.

Поняла, благодарю!)

Ищите - Фрониус, планарные ТГР. Красивые, гы.

А каким боком Фрониус? Я имел ввиду на каком кольце удобнее сделать тр-р на 60-100 мГц, наверное лицендрат нужен. Вот и вопрос, кто знает лицендрат которые паяется без зачистки? Схема наверное как обратноходовой преобразователь следовательно нужен транзистор МОСФЕТ SMD на 100 мГц чтобы подключить сразу к процессору 3.3 В на затворе и ток ампера 4А.

Вы НЕПРОБИВАЕМЫ, так у Вас ничего не выйдет, есть же готовые интегральные решения, зачем Вы огород городить собрались?

Все понял, просто поинтересовался можно ли здесь сэкономить. Типа на будущее, зачем-то производитель процессора предусмотрел такую возможность может ненадо так сходу отрицать. Сами посудите, альтернатива интегральному драйверу видится так: выход процессора -> МОСФЕТ 100 мГц SMD на 4А и чтобы управлялся от 3.3В-> маленькое кольцо (5мм хватит в пластиковой оболочке из феррита 100-200) по 2 витка лицендрата-> диод -> затвор силового транзистора. Кроме того я не собираюсь немедленно это воплощать, просто на будущее. У меня уже собрана плата на интегральных драйверах, но интегральным драйверам нужно изолированное питание!!! В случае с модуляцией не нужен изолированный DC/DC !!!! Питание затвора силового транзистора будет обеспечено через маленькое ферритовое кольцо диа. 5 мм из феррита проницаемостью 30-200 в пластиковой оболочке и по 2 витка литца. первичка и вторичка. Вторичка просто через диод подключается к затвору силового транзистора (демодулятор 60-100 мГц)

Вот производители интегральных драйверов с модуляцией - идиоты! Зачем-то вводят синхронизацию по ВТОРОМУ изолированному каналу для демодулятора на каждый драйвер... А всё так просто - транзистор - колечко - диод... Да Вы просто рушите все стандарты, и этот форум тоже!

Не понял, какая синхронизация? Смотрел схему драйвера, правда тр-р там на 2.4 гГц. А так все просто модуляция интегральный тр-р на 2.4 гГц демодуляция-> комплиментарный выход которому нужно изолированное питание.

P.S. Специально посмотрел SI823xx даташит кроме UVLO (защита от низкого сигнала) никакой доп. синхронизации не увидел, модуляция интегральный тр-р на 2.4 гГц демодуляция-> комплиментарный выход которому нужно изолированное питание. Отличие в частоте модуляции и в том, что через трансформатор на 60-100 мГц вменяемых размеров можно непосредственно передать достаточную мощность для раскачки затвора силового тр-ра не прибегая к доп. изолированному питанию!!!!!

Так вот и я о том же. Всё просто, но почему-то так не делают. Будете первым, если опять не перепрыгните на очередную, как бы сказать... прорывную (на этом форуме можно сказать взрывную) идею.

Для доп прямого подмагничивания дросселей насыщения пробовал использовать управляющие синхронными ключами-выпрямителями обмотки.

Раз для сварочника потери в дросселях насыщения не актуальны в режиме полного запирания, тогда наножелезные сердечники типа MSSN – самое то. Индукция насыщения выше в полтора раза по сравнению с кобальтовыми аморфными ППГ, рабочая температура не ограничена. У этой серии нет крупных размеров, максимум восемнадцатый калибр. Но для одновитковой запорной арматуры этого может и хватит.

Извиняюсь за офф... thickman, на паяльнике выложил интересующую Вас статейку про диод в эмиттерной цепи...

Да Вы, дорогие мои, рассудком подвинулись на своем одностороннем подмагничивании. А тем временем фирмы здорово продвинулись в направлении "чистоты сварочного процесса".
На мой взгляд Вы взялись за неблагодарное дело запугивания окружающих проблемой которая на самом деле не существует.

Указ 7.8 шьёшь начальник?