Здравствуйте, гость ( Вход | Регистрация )

> 

контрольные вопросы по курсу

Гость_Идиотка_*
сообщение 13.6.2008, 17:26
Сообщение #1





Гости






1)При комнатной температуре (Т=300К) обратный тока нассыщения через p-n переход равен 2,5мкА. Определить сопротивление p-n перехода при прямом напряжении 0,1В.
2) Изобразите энергетическую диаграмму вырожденного p-n перехода при обратном смещении.
3) Какие физические процессы происходят в транзисторе при его пробое, если он включен по схемам с общей базой и общим эммитером?
4) Нарисуйте структуру интегрального VLG-транзистора с индуцированным каналом n-типа. Изобразите его выходные характеристики и характеристики передачи.

помогите ответить!!!

Темы не дублируем.

Сообщение отредактировал AlexPetrov - 13.6.2008, 21:59
Вернуться в начало страницы
Вставить ник
+Ответить с цитированием данного сообщения

Сообщений в этой теме


Быстрый ответДобавить ответ в эту темуОткрыть тему
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0


 



RSS Текстовая версия Сейчас: 31.10.2026, 5:33
Rambler's Top100     
Стиль от Desi.Ru - сайты и домены