Подделка IGBT транзистора? Опции

[Alsu1961]

Есть вопрос, в котором нужна помощь форумчан-гуру.
Имеется сварочный инвертор собранный по мостовой схеме. В аппарате используется дорогой силовой модуль P385-A11-PM, в состав которого входят: входной диодный мост, четыре IGBT транзистора и термодатчик http://www.datasheetarchive.com/dl/Datashe...ASL00158132.pdf. Один из четырёх транзисторов сгорел. Параметры модуля здесь http://www.vincotech.com/uploads/tx_st9pro...5-A11-D1-14.pdf. Я решил этот сгоревший транзистор заменить навесным транзистором. Найти аналог оказалось не просто. Параметры транзистора 600V, 75A (25град), 38А (80град), Свх=2200пФ. Напомню, что частота преобразования сварочного инвертора 80кГц. Поэтому с времеными характеристиками тоже нужно очень аккуратно. Был выбран транзистор IKW40N65H5. Его параметры 650V, 74A (25град), 46А (100град), Свх=2500пФ. Входная ёмкость малость по-более и по временным характеристикам тоже не сильно проигрывает.
Я живу в Киеве и такой транзистор у нас не нашёл (чтобы купить). Заказал в Китае. Ехали очень долго, 47 суток. При детальном осмотре возникли сомнения в качестве, хотя маркировка совпадала с заявленной на сайте http://ru.aliexpress.com/item/Free-Shippin...2468006814.html.
Взял тестер и померял входную ёмкость IKW40N65H5. Прибор показал 3740пФ!!! при заявленных 2500пФ. Для меня входная ёмкость критична, поскольку драйвер трогать не хочеться.
Померял входную ёмкость IRGP4063DPBF. Она составила 3680пФ, при заявленных 3025пФ.
Оба транзистора были куплены в Китае.
Может я чего-то делаю не так?
С IGBT транзисторами сталкиваюсь впервые!
Совет, ставь будет работать, меня мало устроит. Хотелось бы понимать что делаешь!
Прошу дать совет. За ранее благодарю за ответ.