Двухтактные топологии сварочных инверторов Опции

[astrahard]

2мм для первички при 250А конечно ето мало!
Другой вопрос, что в там по моему 250А даже не пахнет ...Встречается и с надпис 300А, в реалии - 150А

Да, это то что написано на морде, кстати все правда, просто нужно правильно понимать 250А мах. ток в режиме форсирования и диоды на 250А в сумме, но в таблице написано 180А 60%, 135А 100%. Все логично. Обмотки все-же потолще вроде перв 2,5 вторичка 3,5. Кстати инвертор вроде немецкой разработки MATRIX, но в линейке MATRIX его нет а выглядит как китай, но какие-то нотки от немцев есть, одноплатный. Второй этажерка надпись "США" вот тут все похуже параметры на морде завышены относительно реальной комплектации написано 200А реально 120А по диодам, но схема более навороченная все опции есть но некоторые детали не запаяны. Вот его я и переделывать собрался под микроконтроллер там есть датчик тока и напряжения по выходу.

Сообщение отредактировал astrahard - 24.6.2019, 12:57

[astrahard]

Урааааааа! Я разобрался в технологии жизненного цикла товаров "длительного пользования".... и, получил нужный эффект!!!! А вернее еще раз убедился, что так было, есть и будет есть...

Сообщение отредактировал astrahard - 25.6.2019, 5:48

[Тотк]

Смотрел, смотрел на ваш трансформатор. Один виток вторички прикольно, очень лаконично, но есть чувство незавершённости... Короче, руки чесались хотя-бы дорисовать. Довести до логической завершённости или до абсурда, если хотите. Художник я хреноватый....

Не очень внятно, но идея такая: вторичный виток - просто скоба из листовой меди, диоды сразу к ней и паяются. По скину должно быть нормально, плюс места в окне больше остаётся.

[astrahard]

Неплохо, я тоже так делал, лет 15 назад. Только частота у меня была 3,5 мГц. Ведь оттуда идея!!!

[monos]

Из-за существенной постоянной составляющей тока в обмотках, на которую скин не действует.

Однако, характер перемагничивания сердечника на скин не влияет. На скин влияет скорость и частота изменения тока в проводнике. У двухтакта, по сравнению с однотактом, удвоенная частота изменения тока, т.о. сильнее будет выражен скин. В то же время у однотакта удвоенная амплитуда пульсаций тока. Поэтому, при всех равных условиях, однозначно сказать, что потери от скина в однотакте меньше сложно...

Сообщение отредактировал monos - 25.6.2019, 10:22

[astrahard]

Особенно нравиться окончание статьи " В последующих статьях мы затронем некоторые из этих тем." и конечно-же продолжения не будет, так как автор уже иссяк, о чем и расписался во первых словах. (запричитал ой как все сложно, ой как неоднозначно, как будто 3D моделирование вчера запретили)

Сообщение отредактировал astrahard - 25.6.2019, 13:00

[monos]

Там всё не так однозначно.

Эффект близости тут ни при чем. Он может быть при постоянном токе... Вот тут  Optimisazia.pdf ( 370.38 килобайт ) Кол-во скачиваний: 143
описан метод определения скин слоя.

Сообщение отредактировал monos - 25.6.2019, 13:15

[astrahard]

Спасибо, это уже намного лучше. А то, прочитав предыдущую статью, я подумал, что лентой мотать пустая трата меди

Сообщение отредактировал astrahard - 25.6.2019, 13:23

[thickman]

Сравнение по временам выключения двух популярных транзисторов, подходящих для работы в мостах от трехфазной сети. Снимал параметры при питании полумоста от 220V с выпрямителем удвоителем. Номинал демпферного конденсатора варьировался в широких, но, пмсм, разумных пределах

[толян]

Сравнение по временам выключения двух популярных транзисторов, подходящих для работы в мостах от трехфазной сети. Снимал параметры при питании полумоста от 220V с выпрямителем удвоителем. Номинал демпферного конденсатора варьировался в широких, но, пмсм, разумных пределах

Вот прекрасно виден шлейф от хвоста при разном токе рассасывания.

[astrahard]

FGH40T100SMD, IRG4PF50WD Последний явно приличнее себя ведет. Интересно место производства кристаллов транзисторов. Те fairchil-ды что мне прислали перемаркированными из китая имеют какой-то грязный кристалл с громадной утечкой затвора я даже заподозрил что это карбидкремниевые мосфеты (вскрыл и, кристалл вдвое толще чем IGBT которые погорели). Спасибо за материал для размышления, если есть еще с удовольствием ознакомлюсь. Вы вскрывали транзисторы? Просто интересно по толщине кристалла и материалу, я уже не говорю о площади вроде этот этап постепенно уходит в прошлое (явно непригодные). Наступает новый этап подделок более качественных, которые даже пригодны для применения по назначению, например, у меня подделки работают и не сгорают.

[thickman]

Для наглядности там включено мат умножение (фиолетовый цвет, на одной осц. математику забыл включить), - чтобы навскидку можно было величину и характер потерь оценить. По динамическим потерям разница невелика, но мне кажется, что у свеженького получше слегка, однако если по совокупности оценивать – статические+динамические, более свежие(FGH40T100SMD) заметно выигрывают у народных полтинников. Но революционного скачка пока не видится. Современные скоростные 600-вольтовые куда гораздее по потерям. Ниже на картинке GW60V60DF. Сд= 18nF. Но ток коллектора пониже, 20A на момент выключения. Хвостовых потерь практически нет. Этот фрукт сэмпловый – 100% не подделка. За предыдущих два не ручаюсь, брались в Чипе-Дипе за 300 руб, цена настораживает. Тем более, что с Чипойдрипой у меня были неприятные прецеденты по поводу подделок.
Все эти осциллограммы я снимаю в автогенераторе с коммутирующим трансформатором, в управлении затворами – вообще ни одного транзистора. Возможно, при более навороченном управлении динамика будет немного лучше, но я в этом сильно сомневаюсь.

[astrahard]

GW60V60DF я на него тоже обратил внимание по данным даташита. Скоро начнут, наверное, дешеветь мосфеты на новых материалах (CoolSiC MOSFET) и чего там еще забыл?

P.S. У меня стойкое впечатление от присланных китайцами перемаркеров, что это не IGBT а CoolSiC MOSFET, сужу по толщине кристалла и тому (толще вдвое, чем IGBT, я читал что у IGBT кристалл тоньше мосфета вдвое, что и увидел расколов транзистор), что карбида кремния грязного в китае валом из него делают светодиоды.

Как раз так и выходит, карбид грязный и мосфеты CoolSiC MOSFET с очень высокой утечкой затвора, но в целом работают лучше IGBT.

Видимо у китайцев проблемы с нарушением патентов, вот и шлют перемаркер, но это даже круто... для часного потребителя.

Сообщение отредактировал astrahard - 26.6.2019, 16:48

[thickman]

Мосфет никак нельзя с жибитом попутать. В открытом IGBT обязательно должен прямой pn переход звониться. Нет перехода – нет жибита. Достаточно тестера на прозвонку диодов и кроны в затвор.

[XORT01]

Ей богу - детский сад какой-то. Во что скатилась тема... В волшебные несгораемые транзисторы. Это в одном из тех аппаратов, про которые писали? Один с номером модели 250, а второй с надписью США? Может просто и один и второй аппарат не знают, что такое 200 ампер? Кулмос, карбидники..., ага. А как Вы ими управляете? Ничего не меняли, аль драйвер совсем другой?

[astrahard]

По теме. Предлагаю еще раз такую схему двухтактника. Управляемый выпрямитель удвоитель на семисторах питает полумост на "несгораемых CoolSiC MOSFET", в звене постоянного тока 520 В и повышенный КПД потому как оптимальное напряжение, а управляемый выпрямитель удвоитель обгоняет по КПД просто мост диодный. Итого: не надо диодный мост и реле.... итого те-же 4 корпуса ТО3. Конденсаторы поставить на 300 В последовательно и еще пленку 4.7х4, за цену выпрямителя на всякий случай и среднюю точку контролировать проциком.

Моделька  PWM.zip ( 5.96 килобайт ) Кол-во скачиваний: 126
Мисрокап 9 правда там нет управы и триаков, но смысл в том, что данные тр-ра взяты с реального немецкого моста на 250А.


Сообщение отредактировал astrahard - 27.6.2019, 13:50

[XORT01]

Не, ну раз бывают, тогда да. Я просто по серости своей чего-то думал, что они всегда отличались по напряжению управляющего двух-полярного импульса. А для новинок надо +20 и -10 вольт.
Про процессор вообще не к чему было...
Дело не моё, но Вы сосредоточтесь на чём-нибудь одном, а то прыгаете от одного к другому.
Флуд (меня ещё не отпустило, после Ваших постов): транзисторы на отбракованном карбиде-кремния для светодиодов, с Китая

[astrahard]

Для новинок IMW120R045M1 нужно 0-15В как для IGBT (порог открытия +4В!!!! смотреть в даташит пункт Gate-source threshold voltage). А транзисторы с Гонконга, причем конструкция корпуса более совершенная чем у фирменных, больше просечек на подложке и, как следствие, лучше адгезия пластика. И покрытие лучше фирмовых. Так что наводит на мысли, особенно если учесть, что это все-таки Гонконг (испытательный полигон многих именитых производителей). Кстати, не один я в отзывах написали, что транзисторы лучше фирменных!!!

Сообщение отредактировал astrahard - 27.6.2019, 11:15

[XORT01]

Инфинеоновские не рассматривал, даже интересно стало.
Ну а по поводу перемаркер лучше оригинала - это загон, так как что там "внутри" - никто не знает, и при каких условиях эксплуатации восторженные отзывы - тоже неизвестно.

[astrahard]

Я знаю что внутри, один расколол. Щас фотку пришлю.

Слева оригинал FGH40N60SFD справа перемаркер с той-же маркировкой. Емкость затвора 2700 пФ у пермаркера.
На фото видно, что адгезия пластика у перемаркера лучше чем у оригинала!!! Даже вывод центральный шире.... А Gate-source threshold voltage вроде я намерял в р-не 3.6 В как у Инфинеон!!!! Особое внимание надо обратить на толщину кристалла у перемаркера вдвое толще, везде в литературе по полупроводникам сказано что у IGBT кристалл вдвое тоньше MOSFET!!! Даже кристаллы у премаркера стоят ровнее.... Браво Тайваньцам

Сообщение отредактировал astrahard - 27.6.2019, 12:15